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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU310BTU
Fairchild Semiconductor
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IRFU310BTU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IRFU310BTU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU310BTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
IRFU310BTU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 324490

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Anzahl

Spezifikation

IRFU310BTU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - IRFU310BTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - IRFU310BTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 850mA,10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 26W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor IRFU310BTU.

Produkteigenschaften IRFU310BTU IRFU320 IRFU3303PBF IRFU310
Artikelnummer IRFU310BTU IRFU320 IRFU3303PBF IRFU310
Hersteller Fairchild Semiconductor Harris Corporation Infineon Technologies Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 30 V 400 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 57W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc) 3.1A (Tc) 33A (Tc) 1.7A (Tc)
Serie - - HEXFET® -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 850mA,10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 31mOhm @ 18A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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