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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU3303PBF
Infineon Technologies
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IRFU3303PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU3303PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU3303PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 33A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU3303PBF.pdf
vorrätig: 4640

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Spezifikation

IRFU3303PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU3303PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU3303PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU3303PBF.

Produkteigenschaften IRFU3303PBF IRFU320PBF IRFU310BTU IRFU3303
Artikelnummer IRFU3303PBF IRFU320PBF IRFU310BTU IRFU3303
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 3.1A (Tc) 1.7A (Tc) 33A (Tc)
Verlustleistung (max) 57W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 57W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251 (IPAK) IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 18A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 3.4Ohm @ 850mA,10V 31mOhm @ 18A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 400 V 400 V 30 V

IRFU3303PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU3303PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU3303PBF - Infineon Technologies herunter.

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