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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU320
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU320 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
IRFU320
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU320
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU320.pdf
vorrätig: 4690

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Anzahl

Spezifikation

IRFU320 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - IRFU320 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - IRFU320

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation IRFU320.

Produkteigenschaften IRFU320 IRFU2905ZPBF IRFU310PBF IRFU3410
Artikelnummer IRFU320 IRFU2905ZPBF IRFU310PBF IRFU3410
Hersteller Harris Corporation Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Bulk Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 55 V 400 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc) 42A (Tc) 1.7A (Tc) 31A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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