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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU3504Z
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU3504Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU3504Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU3504Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR3504Z, IRFU3504Z.pdf
vorrätig: 3810

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Spezifikation

IRFU3504Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU3504Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU3504Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU3504Z.

Produkteigenschaften IRFU3504Z IRFU3410PBF IRFU3704 IRFU3504ZPBF
Artikelnummer IRFU3504Z IRFU3410PBF IRFU3704 IRFU3504ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 20 V 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 1510 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 42A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 45 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 31A (Tc) 75A (Tc) 42A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)

IRFU3504Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU3504Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU3504Z - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR3504Z, IRFU3504Z.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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