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IRFU3518-701PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU3518-701PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU3518-701PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU3518-701PBF.pdf
vorrätig: 4210

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Spezifikation

IRFU3518-701PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU3518-701PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU3518-701PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU3518-701PBF.

Produkteigenschaften IRFU3518-701PBF IRFU3704 IRFU3607PBF IRFU3706
Artikelnummer IRFU3518-701PBF IRFU3704 IRFU3607PBF IRFU3706
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 84 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc) 75A (Tc)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 90W (Tc) 140W (Tc) 88W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 20 V 75 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 3070 pF @ 50 V 2410 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 2.8V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 100µA 2V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 18A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V

IRFU3518-701PBF Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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