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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU3504ZPBF
Infineon Technologies
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IRFU3504ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU3504ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU3504ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU3504ZPBF.pdf
vorrätig: 4840

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Anzahl

Spezifikation

IRFU3504ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU3504ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU3504ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU3504ZPBF.

Produkteigenschaften IRFU3504ZPBF IRFU3704 IRFU3504Z IRFU3518-701PBF
Artikelnummer IRFU3504ZPBF IRFU3704 IRFU3504Z IRFU3518-701PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 45 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 1510 pF @ 25 V 1710 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 20 V 40 V 80 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 75A (Tc) 42A (Tc) 38A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 42A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 42A, 10V 29mOhm @ 18A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFU3504ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU3504ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU3504ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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