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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ46NLPBF
Infineon Technologies
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IRFZ46NLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ46NLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ46NLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 53A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFZ46NLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50070

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ46NLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ46NLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ46NLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 107W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ46NLPBF.

Produkteigenschaften IRFZ46NLPBF IRFZ44Z IRFZ46NS IRFZ46NL
Artikelnummer IRFZ46NLPBF IRFZ44Z IRFZ46NS IRFZ46NL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-220AB D2PAK TO-262
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 51A (Tc) 53A (Tc) 53A (Tc)
Grundproduktnummer IRFZ46 - - -

IRFZ46NLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ46NLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ46NLPBF - Infineon Technologies herunter.

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