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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ46NSPBF
IRFZ46NSPBF Image
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IRFZ46NSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ46NSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ46NSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFZ46NSPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ46NSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ46NSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ46NSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 107W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ46NSPBF.

Produkteigenschaften IRFZ46NSPBF IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46NLPBF IRFZ46ZLPBF
Artikelnummer IRFZ46NSPBF IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46NLPBF IRFZ46ZLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 51A (Tc) 53A (Tc) 51A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V 1460 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1460 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-262 TO-262
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 82W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 82W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

IRFZ46NSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ46NSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ46NSPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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