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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFZ46NPBF
IRFZ46NPBF Image
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IRFZ46NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFZ46NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFZ46NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFZ46NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70570

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Anzahl

Spezifikation

IRFZ46NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFZ46NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFZ46NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 107W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFZ46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFZ46NPBF.

Produkteigenschaften IRFZ46NPBF IRFZ46NS IRFZ44ZLPBF IRFZ46NL
Artikelnummer IRFZ46NPBF IRFZ46NS IRFZ44ZLPBF IRFZ46NL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRFZ46 - IRFZ44 -
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 53A (Tc) 51A (Tc) 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 28A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 1696 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 107W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

IRFZ46NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFZ46NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFZ46NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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