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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL2203NLPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL2203NLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL2203NLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL2203NLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 116A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL2203NLPBF.pdf
vorrätig: 4230

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Anzahl

Spezifikation

IRL2203NLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL2203NLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL2203NLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 116A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL2203NLPBF.

Produkteigenschaften IRL2203NLPBF IRL1404ZSPBF IRL2203NL IRL1404ZS
Artikelnummer IRL2203NLPBF IRL1404ZSPBF IRL2203NL IRL1404ZS
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK TO-262 D2PAK
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 116A (Tc) 75A (Tc) 116A (Tc) 75A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 230W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Tube Bulk Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V

IRL2203NLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL2203NLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL2203NLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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