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IRL2203NSTRLPBF Image
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IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL2203NSTRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL2203NSTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL2203NSTRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

IRL2203NSTRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 116A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL2203NSTRLPBF.

Produkteigenschaften IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
Artikelnummer IRL2203NSTRLPBF IRL2203NLPBF IRL2505PBF IRL2203STRR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 116A (Tc) 116A (Tc) 104A (Tc) 100A (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 55 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 TO-220AB D²PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRL2203NSTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL2203NSTRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL2203NSTRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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