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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3103D2S
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IRL3103D2S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3103D2S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3103D2S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL3103D2S.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

IRL3103D2S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3103D2S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3103D2S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3103D2S.

Produkteigenschaften IRL3103D2S IRL3102SPBF IRL3103STRLPBF IRL3103S
Artikelnummer IRL3103D2S IRL3102SPBF IRL3103STRLPBF IRL3103S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc) 61A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 58 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) - 89W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 2500 pF @ 15 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id - 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V 13mOhm @ 37A, 7V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V
Serie FETKY™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V

IRL3103D2S Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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