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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3103L
Infineon Technologies
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IRL3103L - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3103L
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3103L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 64A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL3103L.pdf
vorrätig: 4020

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Anzahl

Spezifikation

IRL3103L Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3103L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3103L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3103L.

Produkteigenschaften IRL3103L IRL3103SPBF IRL3103PBF IRL3103LPBF
Artikelnummer IRL3103L IRL3103SPBF IRL3103PBF IRL3103LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc) 94W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK TO-220AB TO-262
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRL3103L Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3103L PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3103L - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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