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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL3103LPBF
Infineon Technologies
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IRL3103LPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3103LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3103LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 64A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL3103LPBF.pdf
vorrätig: 4320

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Spezifikation

IRL3103LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3103LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3103LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3103LPBF.

Produkteigenschaften IRL3103LPBF IRL3103L IRL3103D1S IRL3103D1STRL
Artikelnummer IRL3103LPBF IRL3103L IRL3103D1S IRL3103D1STRL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 94W (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc) 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 34A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 D2PAK D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ FETKY™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 43 nC @ 4.5 V 43 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
FET-Merkmal - - - -

IRL3103LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3103LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3103LPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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