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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL530NPBF
IRL530NPBF Image
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IRL530NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL530NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL530NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL530NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3780

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Anzahl

Spezifikation

IRL530NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL530NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL530NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL530NPBF.

Produkteigenschaften IRL530NPBF IRL530NSTRLPBF IRL530NSPBF IRL530
Artikelnummer IRL530NPBF IRL530NSTRLPBF IRL530NSPBF IRL530
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Grundproduktnummer IRL530 IRL530 - IRL530
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK TO-220AB
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 88W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 9A, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

IRL530NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL530NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL530NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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