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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL520PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL520PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL520PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL520PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL520PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 83970

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Anzahl

Spezifikation

IRL520PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL520PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL520PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 5V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL520  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL520PBF.

Produkteigenschaften IRL520PBF IRL530NPBF IRL520NSTRLPBF IRL520NPBF
Artikelnummer IRL520PBF IRL530NPBF IRL520NSTRLPBF IRL520NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc) 17A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D2PAK TO-220AB
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRL520 IRL530 IRL520 IRL520
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 48W (Tc)

IRL520PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL520PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL520PBF - Vishay Siliconix herunter.

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Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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