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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL530
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL530 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL530
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL530
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL530, SiHL530.pdf
vorrätig: 5390

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Spezifikation

IRL530 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL530 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL530

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL530.

Produkteigenschaften IRL530 IRL520NSTRLPBF IRL530NPBF IRL520NSPBF
Artikelnummer IRL530 IRL520NSTRLPBF IRL530NPBF IRL520NSPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Grundproduktnummer IRL530 IRL520 IRL530 -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB D2PAK
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc) 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Verlustleistung (max) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 180mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRL530 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL530 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL530 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRL530, SiHL530.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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