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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL5602STRR
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IRL5602STRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL5602STRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL5602STRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL5602S.pdf
vorrätig: 4640

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Anzahl

Spezifikation

IRL5602STRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL5602STRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL5602STRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL5602STRR.

Produkteigenschaften IRL5602STRR IRL5602STRRPBF IRL5602STRLPBF IRL5602SPBF
Artikelnummer IRL5602STRR IRL5602STRRPBF IRL5602STRLPBF IRL5602SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

IRL5602STRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRL5602STRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL5602STRR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL5602S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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