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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL5602STRRPBF
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IRL5602STRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL5602STRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL5602STRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL5602SPbF.pdf
vorrätig: 5170

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Anzahl

Spezifikation

IRL5602STRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL5602STRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL5602STRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL5602STRRPBF.

Produkteigenschaften IRL5602STRRPBF IRL60S216 IRL5602SPBF IRL60B216
Artikelnummer IRL5602STRRPBF IRL60S216 IRL5602SPBF IRL60B216
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Supplier Device-Gehäuse D2PAK PG-TO263-3 D2PAK TO-220AB
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 1.95mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1.9mOhm @ 100A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 255 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 258 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 20 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 15330 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 15570 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 195A (Tc) 24A (Tc) 195A (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 375W (Tc) 75W (Tc) 375W (Tc)

IRL5602STRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL5602STRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL5602STRRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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