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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL5602S
IRL5602S Image
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IRL5602S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL5602S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL5602S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL5602S.pdf
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

IRL5602S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL5602S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL5602S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL5602S.

Produkteigenschaften IRL5602S IRL5602STRL IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF
Artikelnummer IRL5602S IRL5602STRL IRL5602SPBF IRL540NSTRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 100 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±16V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V

IRL5602S Datenblatt PDF

Laden Sie IRL5602S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL5602S - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
Datenblätter
IRL5602S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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