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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL6342PBF
IRL6342PBF Image
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IRL6342PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL6342PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL6342PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRL6342PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5370

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Anzahl

Spezifikation

IRL6342PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL6342PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL6342PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.9A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL6342PBF.

Produkteigenschaften IRL6342PBF IRL640A IRL6342TRPBF IRL630PBF
Artikelnummer IRL6342PBF IRL640A IRL6342TRPBF IRL630PBF
Hersteller Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 200 V 30 V 200 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 110W (Tc) 2.5W (Ta) 74W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V 1025 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.9A (Ta) 18A (Tc) 9.9A (Ta) 9A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 56 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 180mOhm @ 9A, 5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 400mOhm @ 5.4A, 5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 5V 2.5V, 4.5V 4V, 5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO TO-220-3 8-SO TO-220AB

IRL6342PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL6342PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL6342PBF - Infineon Technologies herunter.

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