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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRL6372PBF
IRL6372PBF Image
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IRL6372PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL6372PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL6372PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRL6372PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4620

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Anzahl

Spezifikation

IRL6372PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL6372PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL6372PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRL6372  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL6372PBF.

Produkteigenschaften IRL6372PBF IRL6372TRPBF IRL6342TRPBF IRL630NS
Artikelnummer IRL6372PBF IRL6372TRPBF IRL6342TRPBF IRL630NS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies IR
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 11 nC @ 4.5 V -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Leistung - max 2W 2W - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.1A 8.1A 9.9A (Ta) -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V 1020pF @ 25V 1025 pF @ 25 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Grundproduktnummer IRL6372 IRL6372 IRL6342 -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -

IRL6372PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL6372PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL6372PBF - Infineon Technologies herunter.

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Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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