IRL630STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL630STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL630STRLPBF

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 5.4A, 5V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)
Grundproduktnummer	IRL630

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL630STRLPBF.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	IRL630STRLPBF	IRL630STRR	IRL630STRRPBF	IRL6342PBF
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 5.4A, 5V	400mOhm @ 5.4A, 5V	400mOhm @ 5.4A, 5V	14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	2V @ 250µA	2V @ 250µA	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V	40 nC @ 10 V	40 nC @ 10 V	11 nC @ 4.5 V
Serie	-	-	-	HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 25 V	1100 pF @ 25 V	1100 pF @ 25 V	1025 pF @ 25 V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)	3.1W (Ta), 74W (Tc)	3.1W (Ta), 74W (Tc)	2.5W (Ta)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)	D²PAK (TO-263)	D²PAK (TO-263)	8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V	200 V	200 V	30 V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal	-	-	-	-
Grundproduktnummer	IRL630	IRL630	IRL630	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	4V, 5V	4V, 5V	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V	±10V	±10V	±12V
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)	9A (Tc)	9A (Tc)	9.9A (Ta)

IRL630STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL630STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL630STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft: Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter: IRL630S, SiHL630S.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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