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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLB8314PBF
IRLB8314PBF Image
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IRLB8314PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLB8314PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLB8314PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLB8314PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 83430

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Anzahl

Spezifikation

IRLB8314PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLB8314PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLB8314PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 68A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 171A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLB8314  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLB8314PBF.

Produkteigenschaften IRLB8314PBF IRLB3813PBF IRLB8743PBF IRLBA1304
Artikelnummer IRLB8314PBF IRLB3813PBF IRLB8743PBF IRLBA1304
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 86 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 68A, 10V 1.95mOhm @ 60A, 10V 3.2mOhm @ 40A, 10V 4mOhm @ 110A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 230W (Tc) 140W (Tc) 300W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 15 V 8420 pF @ 15 V 5110 pF @ 15 V 7660 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRLB8314 IRLB3813 IRLB8743 IRLBA130
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220AB TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-273AA
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 100µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 171A (Tc) 260A (Tc) 78A (Tc) 185A (Tc)

IRLB8314PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLB8314PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLB8314PBF - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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