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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLBA1304
Infineon Technologies
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IRLBA1304 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLBA1304
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLBA1304
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-273AA
Datenblatt
IRLBA1304.pdf
vorrätig: 4000

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Spezifikation

IRLBA1304 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLBA1304 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLBA1304

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SUPER-220™ (TO-273AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-273AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7660 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 185A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLBA130  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLBA1304.

Produkteigenschaften IRLBA1304 IRLD110PBF IRLB4132PBF IRLD024PBF
Artikelnummer IRLBA1304 IRLD110PBF IRLB4132PBF IRLD024PBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 1.3W (Ta) 140W (Tc) 1.3W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 185A (Tc) 1A (Ta) 78A (Tc) 2.5A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-273AA 4-DIP (0.300", 7.62mm) TO-220-3 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Grundproduktnummer IRLBA130 IRLD110 IRLB4132 IRLD024
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 54 nC @ 4.5 V 18 nC @ 5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SUPER-220™ (TO-273AA) 4-HVMDIP TO-220AB 4-HVMDIP
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 30 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7660 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5110 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±16V ±10V ±20V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V 540mOhm @ 600mA, 5V 3.5mOhm @ 40A, 10V 100mOhm @ 1.5A, 5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRLBA1304 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLBA1304 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLBA1304 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf
Datenblätter
IRLBA1304.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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