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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLB8721PBF
IRLB8721PBF Image
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IRLB8721PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLB8721PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLB8721PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLB8721PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 98400

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Anzahl

Spezifikation

IRLB8721PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLB8721PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLB8721PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 65W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1077 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLB8721  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLB8721PBF.

Produkteigenschaften IRLB8721PBF IRLBA3803P IRLB4132PBF IRLB8748PBF
Artikelnummer IRLB8721PBF IRLBA3803P IRLB4132PBF IRLB8748PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 179A (Tc) 78A (Tc) 92A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1077 pF @ 15 V 5000 pF @ 25 V 5110 pF @ 15 V 2139 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 65W (Tc) 270W (Tc) 140W (Tc) 75W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 31A, 10V 5mOhm @ 71A, 10V 3.5mOhm @ 40A, 10V 4.8mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-273AA TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 1V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer IRLB8721 - IRLB4132 IRLB8748
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V

IRLB8721PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLB8721PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLB8721PBF - Infineon Technologies herunter.

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