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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLIZ34NPBF
IRLIZ34NPBF Image
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IRLIZ34NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLIZ34NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLIZ34NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLIZ34NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 75090

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Anzahl

Spezifikation

IRLIZ34NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLIZ34NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLIZ34NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLIZ34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLIZ34NPBF.

Produkteigenschaften IRLIZ34NPBF IRLIZ34GPBF IRLIZ34G IRLIZ24NPBF
Artikelnummer IRLIZ34NPBF IRLIZ34GPBF IRLIZ34G IRLIZ24NPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±16V
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 60 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc) 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12A, 10V 50mOhm @ 12A, 5V 50mOhm @ 12A, 5V 60mOhm @ 8.4A, 10V
Grundproduktnummer IRLIZ34 IRLIZ34 IRLIZ34 -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 14A (Tc)

IRLIZ34NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLIZ34NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLIZ34NPBF - Infineon Technologies herunter.

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