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IRLIZ44NPBF Image
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IRLIZ44NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLIZ44NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLIZ44NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLIZ44NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3980

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Anzahl

Spezifikation

IRLIZ44NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLIZ44NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLIZ44NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLIZ44NPBF.

Produkteigenschaften IRLIZ44NPBF IRLIZ34NPBF IRLL014 IRLIZ34GPBF
Artikelnummer IRLIZ44NPBF IRLIZ34NPBF IRLL014 IRLIZ34GPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V 35mOhm @ 12A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 5V 50mOhm @ 12A, 5V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 37W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 42W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 22A (Tc) 2.7A (Tc) 20A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak SOT-223 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -

IRLIZ44NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLIZ44NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLIZ44NPBF - Infineon Technologies herunter.

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