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IRLL2705TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLL2705TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL2705TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL2705.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5440

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Spezifikation

IRLL2705TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLL2705TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLL2705TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLL2705TR.

Produkteigenschaften IRLL2705TR IRLL2703 IRLL2703PBF IRLL3303PBF
Artikelnummer IRLL2705TR IRLL2703 IRLL2703PBF IRLL3303PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 840 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta) 3.9A (Ta) 3.9A (Ta) 4.6A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 30 V 30 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Cut Tape (CT) Tube Tube Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V 14 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -

IRLL2705TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL2705TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLL2705TR - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2013.pdf
Datenblätter
IRLL2705.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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