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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLL3303
IRLL3303 Image
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IRLL3303 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLL3303
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL3303
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL3303.pdf
vorrätig: 3990

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Spezifikation

IRLL3303 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLL3303 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLL3303

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLL3303.

Produkteigenschaften IRLL3303 IRLL3303TRPBF IRLL2705TRPBF IRLL3303TR
Artikelnummer IRLL3303 IRLL3303TRPBF IRLL2705TRPBF IRLL3303TR
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 4.6A (Ta) 3.8A (Ta) 4.6A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 55 V 30 V
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V 840 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 840 pF @ 25 V

IRLL3303 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL3303 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLL3303 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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