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IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLL2705TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLL2705TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLL2705TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54030

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Anzahl

Spezifikation

IRLL2705TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta)  
Grundproduktnummer IRLL2705  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLL2705TRPBF.

Produkteigenschaften IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
Artikelnummer IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.9A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V - 4V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Grundproduktnummer IRLL2705 - - -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) - 1W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V - ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLL2705TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLL2705TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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