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IRLMS1902TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLMS1902TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLMS1902TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
IRLMS1902TR.pdf
vorrätig: 4330

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Anzahl

Spezifikation

IRLMS1902TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLMS1902TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLMS1902TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(TSOP-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLMS1902TR.

Produkteigenschaften IRLMS1902TR IRLML9303TRPBF IRLMS2002TRPBF IRLMS2002
Artikelnummer IRLMS1902TR IRLML9303TRPBF IRLMS2002TRPBF IRLMS2002
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 2.3A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 165mOhm @ 2.3A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 2 nC @ 4.5 V 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 2.4V @ 10µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(TSOP-6) Micro3™/SOT-23 Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta) 1.25W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 15 V 160 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLMS1902TR Datenblatt PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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