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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLMS2002
IRLMS2002 Image
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IRLMS2002 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLMS2002
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLMS2002
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
IRLMS2002.pdf
vorrätig: 3730

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Anzahl

Spezifikation

IRLMS2002 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLMS2002 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLMS2002

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Grundproduktnummer IRLMS200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLMS2002.

Produkteigenschaften IRLMS2002 IRLMS2002TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1503TRPBF
Artikelnummer IRLMS2002 IRLMS2002TRPBF IRLMS4502TR IRLMS1503TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 5.5A (Ta) 3.2A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6) Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6)
Grundproduktnummer IRLMS200 IRLMS2002 - IRLMS1503
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V 210 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 12 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLMS2002 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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