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IRLMS2002TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLMS2002TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLMS2002TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
IRLMS2002TR.pdf
vorrätig: 4810

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Anzahl

Spezifikation

IRLMS2002TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLMS2002TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLMS2002TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLMS2002TR.

Produkteigenschaften IRLMS2002TR IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF IRLMS2002
Artikelnummer IRLMS2002TR IRLMS1902TR IRLMS1503TRPBF IRLMS2002
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 3.2A (Ta) 3.2A (Ta) 6.5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) Micro6™(SOT23-6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 7 nC @ 4.5 V 9.6 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 300 pF @ 15 V 210 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V

IRLMS2002TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLMS2002TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLMS2002TR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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