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IRLR3303PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3303PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3303PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR/U3303PbF.pdf
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3303PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3303PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3303PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3303PBF.

Produkteigenschaften IRLR3303PBF IRLR3410TRPBF IRLR3410PBF IRLR3114ZTRPBF
Artikelnummer IRLR3303PBF IRLR3410TRPBF IRLR3410PBF IRLR3114ZTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 21A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 42A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 56 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 68W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 140W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 100 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 3810 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 100µA

IRLR3303PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3303PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3303PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IRLR/U3303PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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