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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3303TRR
IRLR3303TRR Image
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IRLR3303TRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3303TRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3303TRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR/U3303.pdf
vorrätig: 5240

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3303TRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3303TRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3303TRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3303TRR.

Produkteigenschaften IRLR3303TRR IRLR3303TRPBF IRLR3410PBF IRLR3303TR
Artikelnummer IRLR3303TRR IRLR3303TRPBF IRLR3410PBF IRLR3303TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 17A (Tc) 35A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 34 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 68W (Tc) 68W (Tc) 79W (Tc) 68W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 21A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLR3303TRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3303TRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3303TRR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLR/U3303.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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