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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3410PBF
International Rectifier
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IRLR3410PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRLR3410PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3410PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HEXFET POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3410PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3410PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRLR3410PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRLR3410PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRLR3410PBF.

Produkteigenschaften IRLR3410PBF IRLR3114ZTRPBF IRLR3410TRR IRLR3410TRPBF
Artikelnummer IRLR3410PBF IRLR3114ZTRPBF IRLR3410TRR IRLR3410TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 100µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 42A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 140W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 56 nC @ 4.5 V 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 3810 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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