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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3715TRL
IRLR3715TRL Image
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IRLR3715TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3715TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3715TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3715, IRLU3715.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IRLR3715TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3715TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3715TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3715TRL.

Produkteigenschaften IRLR3715TRL IRLR3714TRPBF IRLR3715ZPBF IRLR3715PBF
Artikelnummer IRLR3715TRL IRLR3714TRPBF IRLR3715ZPBF IRLR3715PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc) 36A (Tc) 49A (Tc) 54A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 26A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 47W (Tc) 40W (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V

IRLR3715TRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3715TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3715TRL - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLR3715, IRLU3715.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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