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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3714ZTRLPBF
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IRLR3714ZTRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3714ZTRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3714ZTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRL(R,U)3714ZPbF.pdf
vorrätig: 4650

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Spezifikation

IRLR3714ZTRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3714ZTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3714ZTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3714ZTRLPBF.

Produkteigenschaften IRLR3714ZTRLPBF IRLR3714ZTRPBF IRLR3715TRL IRLR3715ZPBF
Artikelnummer IRLR3714ZTRLPBF IRLR3714ZTRPBF IRLR3715TRL IRLR3715ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc) 37A (Tc) 54A (Tc) 49A (Tc)

IRLR3714ZTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3714ZTRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3714ZTRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRL(R,U)3714ZPbF.pdf

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