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IRLR3915TRPBF Image
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IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3915TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3915TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3915TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56340

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Spezifikation

IRLR3915TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR3915  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3915TRPBF.

Produkteigenschaften IRLR3915TRPBF IRLR3717TRPBF IRLR3802PBF IRLR4343PBF
Artikelnummer IRLR3915TRPBF IRLR3717TRPBF IRLR3802PBF IRLR4343PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 41 nC @ 5 V 42 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRLR3915 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1V @ 250µA
Verlustleistung (max) 120W (Tc) 89W (Tc) 88W (Tc) 79W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Vgs (Max) ±16V ±20V ±12V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 120A (Tc) 84A (Tc) 26A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870 pF @ 25 V 2830 pF @ 10 V 2490 pF @ 6 V 740 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 20 V 12 V 55 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRLR3915TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3915TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3915TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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