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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR4343PBF
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IRLR4343PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR4343PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR4343PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRL(R,U)4343(-701)PbF.pdf
vorrätig: 5420

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Spezifikation

IRLR4343PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR4343PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR4343PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR4343PBF.

Produkteigenschaften IRLR4343PBF IRLR4132TRPBF IRLR6225PBF IRLR4343TRPBF
Artikelnummer IRLR4343PBF IRLR4132TRPBF IRLR6225PBF IRLR4343TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® * HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V - 4mOhm @ 21A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V - 3770 pF @ 10 V 740 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V - 20 V 55 V
Vgs (Max) ±20V - ±12V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) - 100A (Tc) 26A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA - 1.1V @ 50µA 1V @ 250µA
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V - 72 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 79W (Tc) - 63W (Tc) 79W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak - TO-252AA D-Pak
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)

IRLR4343PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR4343PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR4343PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IRL(R,U)4343(-701)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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