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IRLR4343TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR4343TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR4343TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRL(R,U)4343(-701)PbF.pdf
vorrätig: 3700

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Spezifikation

IRLR4343TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR4343TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR4343TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR4343TRPBF.

Produkteigenschaften IRLR4343TRPBF IRLR3915PBF IRLR6225PBF IRLR4343PBF
Artikelnummer IRLR4343TRPBF IRLR3915PBF IRLR6225PBF IRLR4343PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 120W (Tc) 63W (Tc) 79W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 72 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak TO-252AA D-Pak
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 20 V 55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 30A (Tc) 100A (Tc) 26A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±12V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 21A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 50 V 1870 pF @ 25 V 3770 pF @ 10 V 740 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1.1V @ 50µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V - 4.5V, 10V

IRLR4343TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR4343TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR4343TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IRL(R,U)4343(-701)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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