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IRLR6225TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR6225TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR6225TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR6225TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54630

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Spezifikation

IRLR6225TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR6225TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR6225TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR6225  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR6225TRPBF.

Produkteigenschaften IRLR6225TRPBF IRLR4343PBF IRLR4343 IRLR6225PBF
Artikelnummer IRLR6225TRPBF IRLR4343PBF IRLR4343 IRLR6225PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 4.5V 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 4mOhm @ 21A, 4.5V
Grundproduktnummer IRLR6225 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 26A (Tc) 26A (Tc) 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 55 V 55 V 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 50µA
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 63W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 10 V 740 pF @ 50 V 740 pF @ 50 V 3770 pF @ 10 V

IRLR6225TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR6225TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR6225TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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