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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU3715ZPBF
Infineon Technologies
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IRLU3715ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU3715ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU3715ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU3715ZPBF.pdf
vorrätig: 4140

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Spezifikation

IRLU3715ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU3715ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU3715ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU3715ZPBF.

Produkteigenschaften IRLU3715ZPBF IRLU3714ZPBF IRLU3636PBF IRLU4343
Artikelnummer IRLU3715ZPBF IRLU3714ZPBF IRLU3636PBF IRLU4343
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 3779 pF @ 50 V 740 pF @ 50 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 37A (Tc) 50A (Tc) 26A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V 49 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.5V @ 100µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 6.8mOhm @ 50A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 35W (Tc) 143W (Tc) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 60 V 55 V

IRLU3715ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU3715ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU3715ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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