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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU3705ZPBF
International Rectifier
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IRLU3705ZPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRLU3705ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU3705ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU3705ZPBF.pdf
vorrätig: 4500

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Anzahl

Spezifikation

IRLU3705ZPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRLU3705ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRLU3705ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRLU3705ZPBF.

Produkteigenschaften IRLU3705ZPBF IRLU3714Z IRLU3714PBF IRLU3303
Artikelnummer IRLU3705ZPBF IRLU3714Z IRLU3714PBF IRLU3303
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 35W (Tc) 47W (Tc) 68W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 560 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 870 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 37A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) I-PAK I-PAK I-PAK
Paket Bulk Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 7.1 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 42A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±16V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 20 V 20 V 30 V

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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