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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU3636PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLU3636PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU3636PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU3636PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU3636PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26354

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Anzahl

Spezifikation

IRLU3636PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU3636PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU3636PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 143W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLU3636  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU3636PBF.

Produkteigenschaften IRLU3636PBF IRLU3715ZPBF IRLU3105PBF IRLU3714ZPBF
Artikelnummer IRLU3636PBF IRLU3715ZPBF IRLU3105PBF IRLU3714ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V 810 pF @ 10 V 710 pF @ 25 V 560 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±16V ±20V - ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 143W (Tc) 40W (Tc) - 35W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IRLU3636 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 49A (Tc) 25A (Tc) 37A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 20 V 55 V 20 V

IRLU3636PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU3636PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU3636PBF - Infineon Technologies herunter.

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