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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU7821
Infineon Technologies
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IRLU7821 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU7821
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU7821
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR7821, IRLU7821.pdf
vorrätig: 5490

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Spezifikation

IRLU7821 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU7821 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU7821

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU7821.

Produkteigenschaften IRLU7821 IRLU3915PBF IRLU8256PBF IRLU8113PBF
Artikelnummer IRLU7821 IRLU3915PBF IRLU8256PBF IRLU8113PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.35V @ 25µA 2.25V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc) 30A (Tc) 81A (Tc) 94A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK IPAK (TO-251) I-PAK I-PAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 1870 pF @ 25 V 1470 pF @ 13 V 2920 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 25 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 120W (Tc) 63W (Tc) 89W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
FET-Merkmal - - - -

IRLU7821 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU7821 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU7821 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLR7821, IRLU7821.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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