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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU8259PBF
Infineon Technologies
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IRLU8259PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU8259PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU8259PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 57A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU8259PBF.pdf
vorrätig: 4470

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Anzahl

Spezifikation

IRLU8259PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU8259PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU8259PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU8259PBF.

Produkteigenschaften IRLU8259PBF IRLU8256PBF IRLU7833PBF IRLU8743PBF
Artikelnummer IRLU8259PBF IRLU8256PBF IRLU7833PBF IRLU8743PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK IPAK (TO-251AA)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V 1470 pF @ 13 V 4010 pF @ 15 V 4880 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.3V @ 250µA 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc) 81A (Tc) 140A (Tc) 160A (Tc)
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 63W (Tc) 140W (Tc) 135W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 21A, 10V 5.7mOhm @ 25A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V

IRLU8259PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU8259PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU8259PBF - Infineon Technologies herunter.

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