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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU7821PBF
Infineon Technologies
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IRLU7821PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU7821PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU7821PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR7821PbF, IRLU7821PbF.pdf
vorrätig: 4910

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Spezifikation

IRLU7821PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU7821PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU7821PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU7821PBF.

Produkteigenschaften IRLU7821PBF IRLU7821 IRLU4343PBF IRLU8113PBF
Artikelnummer IRLU7821PBF IRLU7821 IRLU4343PBF IRLU8113PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 42 nC @ 10 V 32 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V 740 pF @ 50 V 2920 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 79W (Tc) 89W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 55 V 30 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc) 65A (Tc) 26A (Tc) 94A (Tc)

IRLU7821PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU7821PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU7821PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Datenblätter
IRLR7821PbF, IRLU7821PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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