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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ34NL
Infineon Technologies
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IRLZ34NL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLZ34NL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ34NL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRLZ34NL.pdf
vorrätig: 5030

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Spezifikation

IRLZ34NL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLZ34NL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLZ34NL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLZ34NL.

Produkteigenschaften IRLZ34NL IRLZ34NSPBF IRLZ24STRR IRLZ24STRL
Artikelnummer IRLZ34NL IRLZ34NSPBF IRLZ24STRR IRLZ24STRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V 35mOhm @ 16A, 10V 100mOhm @ 10A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)

IRLZ34NL Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ34NL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLZ34NL - Infineon Technologies herunter.

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EOL122B 02/Oct/2007.pdf Multiple Devices 25/May/2012.pdf

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